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意法半导体ST推出100V工业级STripFET F8晶体管

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2023-05-26 14:55 | 浏览次数 : 646

意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 


新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术,引入氧化物填充沟槽工艺,集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身,实现高效的开关性能。因此,STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ(在 VGS = 10V 时),高效运行频率达到600kHz。 

意法半导体ST推出100V工业级STripFET F8晶体管

STripFET F8技术还确保输出电容值可以减轻漏源电压尖峰,最大程度地减少充放电能量浪费。此外,这款MOSFET的体漏二极管的软度特性更高。这些改进之处可以减少电磁辐射,简化最终系统的合规性测试,确保电磁兼容性 (EMC)符合适用的产品标准。 


STL120N10F8拥有卓越的能效和较低的电磁辐射,可以增强硬开关和软开关拓扑的电源转换性能。此外,这款产品还是首款完全符合工业级规格的 STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET,非常适合电机控制、电信和计算机系统的电源及转换器、LED 和低压照明,以及消费类电器和电池供电设备。 


新款MOSFET还有其他优势,其中包括栅极阈值电压(VGS(th))差很小,这个优势在强电流应用中很有用,可简化多个功率开关管的并联设计。新产品的鲁棒性非常强,能够承受 10µs的800A短路脉冲电流冲击。 


STL120N10F8采用 PowerFLAT5x6 封装,现已全面投产。

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