一般描述

STB120NF10T4功率MOSFET制作一个有效的普通栅放大器。其最大功耗为312000 mW。胶带和卷轴包装将在运输过程中包装产品，确保安全交付，并使组件能够快速安装。

这种MOSFET晶体管的最低工作温度为-55°C和最高175°C。这个N通道MOSFET晶体管工作在增强模式。mon门放大器使用STB120NF10T4功率MOSFET来自STMicroelectronics。

其最大功耗为312000 mW。胶带和卷轴包装将在运输过程中包装产品，确保安全交付，并使组件能够快速安装。

这种MOSFET晶体管的最低工作温度为-55°C和最高175°C。这个N通道MOSFET晶体管工作在增强模式。

这些器件是用意法半导体独特的STripFETTM工艺实现的n通道功率MOSFET，专门设计以最小化通阻。因此，它适用于电信和计算机应用的高级高效、高频隔离DC-DC转换器的主开关。

参数

Mouser编号：511-STB120NF10

制造商编号：STB120NF10T4

制造商：STMicroelectronics

说明：MOSFET N-Ch 100 Volt 120Amp

制造商: STMicroelectronics  

产品种类: MOSFET 

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: D2PAK-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 100 V  

Id-连续漏极电流: 110 A  

Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  

Qg-栅极电荷: 172 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 312 W  

通道模式: Enhancement  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: STMicroelectronics  

配置: Single  

下降时间: 68 ns  

高度: 4.6 mm  

长度: 10.4 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 90 ns  

系列: STB120NF10  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET  

类型: MOSFET  

典型关闭延迟时间: 132 ns  

典型接通延迟时间: 25 ns  

宽度: 9.35 mm  

单位重量: 4 g 

特点

1.优异的dv/dt能力

2.100%雪崩测试

3.面向应用的表征

4.适用于任何门驱动

5.要求较低的应用程序