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STB120NF10T4

型号 :
STB120NF10T4
制造商 :
STMicroelectronics
简介 :
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
PDF :
PDF
库存 :
5000 
单价 :
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET 功能 -
FET 类型 N 沟道
Vgs (Max) ±20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 5200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 233nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 60A,10V
功率耗散(最大值) 312W(Tc)
包装 带卷(TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
技术 MOSFET(Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc)
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