一般描述：

  这款单P沟道MOSFET采用飞兆举导体先进的功率沟槽工艺设计，以优化Ros (oN) @Vas=-2.5V

参数

Mouser编号：512-FDY101PZ

制造商编号：FDY101PZ

制造商：onsemi / Fairchild

说明：MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET

制造商: onsemi  

产品种类: MOSFET 

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: SOT-523-3  

晶体管极性: P-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 20 V  

Id-连续漏极电流: 150 mA  

Rds On-漏源导通电阻: 8 Ohms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V  

Qg-栅极电荷: 1.4 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 630 mW  

通道模式: Enhancement  

商标名: PowerTrench  

系列: FDY101PZ  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: onsemi / Fairchild  

配置: Single  

下降时间: 13 ns  

正向跨导 - 最小值: 0.7 S  

高度: 0.78 mm  

长度: 1.6 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 13 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: MOSFET  

典型关闭延迟时间: 8 ns  

典型接通延迟时间: 6 ns  

宽度: 0.88 mm  

单位重量: 2 mg  

特性

• -150mA，20VRs(ON)-8-VGS=45V ROS(ON)=12-@VS--2.5V

• ·静电放电保护二极管《注3)

• 湾合RoHS标准

应用

• 锂电池组