一般描述：

这些功率MOSFET采用意法半导体独特的STripFET工艺开发而成，该工艺专为最小化输入电容和栅极电荷而设计。

这使得该器件适合用作先进的高效率隔离DCDC转换器的初级开关，用于电信和计算机应用，以及低栅极电荷驱动要求的应用。

参数

Mouser编号：511-STP120NF10

制造商编号：STP120NF10

制造商：STMicroelectronics

说明：MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A

制造商: STMicroelectronics  

产品种类: MOSFET 

技术: Si  

安装风格: Through Hole  

封装 / 箱体: TO-220-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 100 V  

Id-连续漏极电流: 120 A  

Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  

Qg-栅极电荷: 233 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 312 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: STripFET  

系列: STP120NF10  

封装: Tube  

商标: STMicroelectronics  

配置: Single  

下降时间: 68 ns  

正向跨导 - 最小值: 90 S  

高度: 9.15 mm  

长度: 10.4 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 90 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

典型关闭延迟时间: 132 ns  

典型接通延迟时间: 25 ns  

宽度: 4.6 mm  

单位重量: 2 g 

特性

• 卓越的DV/dt能力

• 100%%雪崩测试

• 低栅电荷

应用

• 交换应用