描述

这些器件是用意法半导体独特的STripFETTM工艺实现的n通道功率MOSFET，专门设计以最小化通阻。

因此，它适用于电信和计算机应用的高级高效、高频隔离DC-DC转换器的主开关。

它也适用于任何门驱动要求较低的应用程序。

参数

Mouser编号：511-STP120NF10

制造商编号：STP120NF10

制造商：STMicroelectronics

说明：MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A

造商: STMicroelectronics  

产品种类: MOSFET  

技术: Si  

安装风格: Through Hole  

封装 / 箱体: TO-220-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 100 V  

Id-连续漏极电流: 120 A  

Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  

Qg-栅极电荷: 233 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 312 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: STripFET  

封装: Tube  

商标: STMicroelectronics  

配置: Single  

下降时间: 68 ns  

正向跨导 - 最小值: 90 S  

高度: 9.15 mm  

长度: 10.4 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 90 ns  

系列: STP120NF10  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

典型关闭延迟时间: 132 ns  

典型接通延迟时间: 25 ns  

宽度: 4.6 mm  

单位重量: 2 g 

特性

特殊的dv/dt能力

100%雪崩测试

面向应用的表征

应用程序

切换应用程序