描述:

英飞凌的新逻辑级OptiMOS™5功率mosfet非常适合无线充电、适配器和电信应用。

新器件的低栅电荷(Q g)降低了开关损耗而不影响传导损耗。改进的性能值允许在高开关频率下操作。

此外，逻辑电平驱动提供了一个较低的门阈值电压(V GS(th))，允许mosfet在5V下直接由微控制器驱动。

参数

Mouser编号：863-NSR05T40XV2T5G

Mouser编号：726-BSZ040N06LS5ATMA

制造商编号：BSZ040N06LS5ATMA1

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET MV POWER MOS

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET 

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: TSDSON-8  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 60 V  

Id-连续漏极电流: 40 A  

Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V  

Qg-栅极电荷: 18 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 69 W  

通道模式: Enhancement  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 4.8 ns  

正向跨导 - 最小值: 32 S  

高度: 1.1 mm  

长度: 3.3 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4.6 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 25.6 ns  

典型接通延迟时间: 8.5 ns  

宽度: 3.3 mm  

零件号别名: BSZ040N06LS5 SP001385578  

单位重量: 38.760 mg 

特性:

•针对高性能SMPS进行优化，例如同步。矩形。

•100%雪崩测试

•优越的热阻n通道

•根据JEDEC标准进行认证)

•无铅电镀;通过无铅认证

•根据IEC61249-2-21无卤

特点总结:

--小包装低R DS(on)。

--门费低。

--较低的输出电荷。

--逻辑级别兼容性。

好处:

--更高的功率密度设计。

--更高的开关频率。

--减少零件计数，只要5V电源可用。

--直接由微控制器驱动(慢切换)。

--降低系统成本。