英飞凌科技公司n通道OptiMOS™功率mosfet
英飞凌n通道OptiMOS™功率mosfet是一流的功率mosfet，提供最高的功率密度和节能解决方案。超低的栅极和输出电荷，以及在小占地面积的封装中最低的通电电阻，是服务器、数据通信和电信应用中要求苛刻的稳压器解决方案的理想选择。超高速开关控制fet，加上低EMI同步fet，提供了易于设计的解决方案。英飞凌n通道OptiMOS™功率mosfet提供优异的栅电荷，并为DC-DC转换进行优化。
OptiMOS™产品以高性能包的形式提供，可以解决最具挑战性的应用程序，在优化空间、效率和成本方面具有充分的灵活性。OptiMOS™产品旨在满足并超过计算应用中锐化的下一代电压调节标准的能源效率和功率密度要求。
参数
Mouser编号：726-BSC600N25NS3GXT
制造商编号：BSC600N25NS3G
制造商：Infineon Technologies
说明：MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 25 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000676402 BSC6N25NS3GXT BSC600N25NS3GATMA1
单位重量: 100 mg
特性
优化的SyncFET用于高性能降压转换器
100%雪崩测试
n沟道
极低通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V
对于给定RDS(on)的超低栅极(Qg)和输出电荷(Qoss)
符合JEDEC要求的目标应用
优越的耐热性
Pb-free电镀;通过无铅认证
不含卤素，符合IEC61249-2-21
应用
服务器的板载电源
用于高性能计算的电源管理
同步整流
负载变流器的高功率密度点
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