ICC80QSG电池充电IC支持准谐振模式多谷底开关（QRMn）。除了准谐振模式（QRM），还能防止进入连续导通模式（CCM）和在中轻负载下实现谷值开关的断续导通模式（DCM）。产品通过将ICC80QSG与CoolMOS™ P7 MOSFET器件配合使用，可以提高能效和降低电磁干扰（EMI）。并且，由于该反激式设计需要的散热片和线圈较少，还节省了BOM成本。此外，集成了用于在轻负载条件下突发模式，有助于在待机模式下实现极低的功耗。ICC80QSG可在突发模式下降低栅极驱动芯片的输出电压，能够满足轻载或无载条件下极低的待机损耗要求，从而在整个工作范围发挥出色的待机性能。

ICC80QSG采用次级侧调节（SSR）控制方式，这是电流控制型电池充电的理想方案。为了获得更高的设计灵活性，它提供了在给定的最大工作频率下对应于谷底开关位置的可调的导通时间对照表，和用于限制输入功率和电流使之可在低压线路条件下安全运行的可调的最大导通时间。该IC凭借外部可调滞回过压保护和欠压保护，为初级MOSFET提供了保护。使其在输入欠压条件下即便使用较少的散热器也不会过热。凭借全方位的保护功能，ICC80QSG可为许多应用实现简单、安全和强大的AC-DC电池充电器设计。