据报道，在日前举办的行业活动上，IDC韩国副总裁KimSu-gyeom预计，存储半导体市场的下行周期将持续到2025年。

KimSu-gyeom表示，今年的市场需求较最初预期更为糟糕，预计来年三季度DRAM和NAND市场都将出现暂时反弹，不过需求增速预期将分别从此前17%、30%下修至10%、19%，其后市场将再度逐步下行，总体规模萎缩，直至2026年后迎来拐点。

TechInsights研究员JeongdongChoi在同一活动上分享了其对存储半导体技术趋势的判断，他指出，三星电子的DRAM技术之前领先于其他竞争对手，但从2020年1z（15nm级）DRAM开始，三家主要存储半导体公司的技术几乎达到同步，“随着DRAM密度不断提升的尝试，2025年将开发1c（11~12nm）DRAM，2029年左右我们将进入个位数nm级DRAM时代。”

关于NAND，Choi表示各大厂商正在开发400-500层堆叠产品，800层堆叠技术将在8-9年内发展。因此，必须引入先进的封装工艺技术。