国际整流器公司的第五代HEXFETs利用先进的处理技术，实现了极低的每硅面积导通电阻。这一优势，再加上六方场效应晶体管功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一个极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

该SOIC-8已被修改通过一个定制的引线框架，增强热特性和多芯片能力，使其在各种电源应用的理想选择。通过这些改进，可以在一个应用中使用多个器件，同时大幅减少电路板空间。该软件包是专为气相，红外线，或波峰焊接技术。

Mouser编号：942-IRF7319TRPBF

制造商编号：IRF7319TRPBF

制造商：Infineon / IR

说明：MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: SOIC-8  

晶体管极性: N-Channel, P-Channel  

通道数量: 2 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 30 V  

Id-连续漏极电流: 6.5 A  

Rds On-漏源导通电阻: 46 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V  

Qg-栅极电荷: 22 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 2 W  

通道模式: Enhancement  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Infineon / IR  

配置: Dual  

高度: 1.75 mm  

长度: 4.9 mm  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

宽度: 3.9 mm  

零件号别名: IRF7319TRPBF SP001563414  

单位重量: 540 mg 

特性：

第五代技术

超低导通电阻

双N和P沟道MOSFET

表面贴装

完全雪崩额定

无铅