6月27日，半导体电子材料咨询公司TECHCET报告称，2021年，ALD/CVD前驱体市场总额增长了21%，达到13.9亿美元，预计2022年将增长12%。2022年的前驱体市场将超过15.6亿美元，原因是受小于7nm逻辑器件产量增加和3D NAND器件堆叠层数增加的驱动，行业整体增长强劲。DRAM制造向EUV光刻的过渡也将带来前驱体收入增加的机会。
TECHCET高级技术分析师Jonas Sundqvist表示：“ALD和CVD是一个材料和化学成分丰富的细分行业，具有重大的发展努力，增长前景强劲，对新材料的需求也很大，同时满足成本和性能的新制造解决方案将依赖ALD前驱体材料。”
新材料和相关工艺技术正受到器件设计变化的推动。对于先进的逻辑，晶体管需要新的前体来形成高k栅介质和金属栅极材料等等。
DRAM存储单元继续追求更高k值的电容器。而先进的设备，需要改进的互连布线、绝缘体以及新的或更多的介质，以支持EUV和先进的ArF光刻。
由于材料的尺寸不断缩放，特别是ALD沉积的新材料，新的挑战仍然存在。在过去的5年里，区域选择性沉积已经成为一种趋势，越来越多的研发机构将这种方法应用到未来的器件中。