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HMC8411LP2FE 有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格
HMC8411LP2FE是砷化镓（GaAs）单片
微波集成电路
低噪声宽带电子迁移率晶体管
在0.01千兆赫到10千兆赫之间工作的放大器。
HMC8411LP2FE的典型增益为15.5 dB，a
1.7db典型噪声系数，典型输出三阶
截获（OIP3）34 dBm，从5 V仅需55毫安
电源电压。饱和输出功率（PSAT）为19.5dbm
典型使低噪声放大器（LNA）能够作为
许多模拟设备公司的本地振荡器（LO）驱动器。，
平衡、同相/正交（I/Q）或图像抑制混频器
HMC8411LP2FE还具有以下输入和输出功能
内部匹配到50Ω，使设备非常适合surfacemounted
基于技术（SMT）的高容量微波炉
无线电应用。
HMC8411LP2FE安装在符合RoHS标准的2 mm×内
2毫米，6导LFCSP。
多功能管脚名称可由其相关的
仅限功能
HMC8411LP2FE
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 射频放大器
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFCSP-6
类型: Low Noise Amplifier
技术: GaAs
工作频率: 0.01 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点: 17 dBm
增益: 14 dB
工作电源电压: 5 V
NF—噪声系数: 2 dB
测试频率: 6 GHz to 10 GHz
OIP3 - 三阶截点: 33 dBm
工作电源电流: 55 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: HMC8411
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: Operational Amplifiers
商标: Analog Devices
通道数量: 1 Channel
输入返回损失: 15 dB
Pd-功率耗散: 1.098 W
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 50
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
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