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SIHP180N60E-GE3 电机驱动器 电池充电器 SIHP240N60E-GE3片片原装

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2019-04-11 15:21 | 浏览次数 : 123

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Vishay Semiconductors 第四代E系列MOSFETSIHP180N60E-GE3  SIHP240N60E-GE3  有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格

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Vishay Semiconductors第四代E系列MOSFET是低品质因数 (FOM) MOSFET,采用E系列技术。第四代E系列MOSFET具有低有效电容,能够减少开关和导通损耗。这些MOSFET可耐受雪崩能量测试 (UIS)。第四代MOSFET采用TO-220AB、PowerPAK® SO-8L、PowerPAK® 8x8、DPAK (TO-252) 和薄引线TO-220 FULLPAK封装。典型应用包括服务器和电信电源、照明、工业、开关模式电源 (SMPS) 和功率因素校正 (PFC) 电源。

第四代E系列技术

低FOM Ronx QG

低有效电容 (CO(er))

减少了开关和导通损耗

雪崩能量等级 (UIS)

服务器和电信电源

开关模式电源 (SMPS)

功率因素校正 (PFC) 电源

照明:

高强度放电 (HID)

荧光灯镇流器照明

工业:

焊接

感应加热

电机驱动器

电池充电器

太阳能(光伏逆变器)

SIHP180N60E-GE3  SIHP240N60E-GE3  制造商: Vishay 

产品种类: MOSFET 

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220AB-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 600 V 

Id-连续漏极电流: 19 A 

Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

Qg-栅极电荷: 22 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 156 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

系列: E  

晶体管类型: 1 N-Channel E-Series Power MOSFET  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 5.3 S  

下降时间: 23 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 49 ns  

工厂包装数量: 1  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 22 ns  

典型接通延迟时间: 14 ns


Vishay Semiconductors 第四代E系列MOSFET

SIHP180N60E-GE3

SIHP240N60E-GE3

SIHA240N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

SIHH180N60E-T1-GE3

SIHD1K4N60E-GE3

SIHH068N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3


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专业经营各类电子元器件(集成电路IC,存储芯片,分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等)。

 我们以低成本提供全方位一站式电子元件供应链采购方案,包括但不仅限于电子元件紧急物料搜寻,电子元件齐套供应、电子元件降低成本的长期供应,库存寄售等一系列供应链解决方案。优势供应各类电子组件.

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深圳市烨弘轩电子有限公司 重点客户遍布中国内地 港 澳 台地区,另外欧美发达国家以及 一代一路沿线发展中国家我司也有大量长期合作的优质客户。

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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 (AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA)等。

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