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IPD600N25N3G 同步整流 进口原现货

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2019-03-26 10:18 | 浏览次数 : 626

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Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETsIPD600N25N3G 有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格

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英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是同类领先的功率 MOSFET,实现最高功率密度和能效的解决方案。超低的栅极和输出电荷、加上最低的导通电阻和小尺寸封装,使 英飞凌 N 沟道 OptiMOS 功率 MOSFET 成为满足服务器、数据通信、电信应用稳压器解决方案严苛要求的理想选择。超快开关控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于设计导入(design in)的解决方案。 英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供优秀的栅极电荷,最适合直流-直流转换。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可用于最具挑战性的应用,充分灵活地优化空间、效率和成本。OptiMOS™ 产品经设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

经优化的 SyncFET,用于高性能降压转换器

100% 经雪崩测试

N 沟道

非常低的导通电阻 RDS(on) @ VGS=4.5V

超低栅极(Qg)和输出电荷(Qoss)(对于给定 RDS(on)

按照 JEDEC 标准符合目标应用要求

出色的热阻

无铅电镀;符合 RoHS 要求

无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准

应用

服务器的板载电源

高性能计算的电源管理

同步整流

高功率密度负载点转换器

IPD600N25N3G 制造商: Infineon 

产品种类: MOSFET  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: TO-252-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 250 V 

Id-连续漏极电流: 25 A 

Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Qg-栅极电荷: 22 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 175 C 

Pd-功率耗散: 136 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: OptiMOS 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

高度: 2.3 mm  

长度: 6.5 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 6.22 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 24 S  

下降时间: 8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 10 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 22 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

零件号别名: G IPD600N25N3 SP001127834  

单位重量: 4 g


IPD600N25N3G


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专业经营各类电子元器件(集成电路IC,存储芯片,分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等)。

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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 (AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA)等。

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