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SST25WF080B-40E/SN 绝对保证最低价 SST25WF040B-40E/SN NOR闪存

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2019-03-06 17:26 | 浏览次数 : 653

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Microchip Technology SST25WF040B/80B SPI串行闪存SST25WF080B-40E/SN  SST25WF040B-40E/SN  有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格

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Microchip Technology SST25WF040B/80B SPI串行闪存芯片设计采用四线SPI兼容接口,可实现低引脚数封装。这些串行闪存占用的电路板空间极小,可降低系统总成本。SST25WF040B/80B串行闪存芯片采用高性能CMOS SuperFlash技术制造而成。这些串行闪存采用分离栅极设计和厚氧化层隧穿注入器,可实现更高的可靠性。

SST25WF040B/80B串行闪存在1.65V至1.95V的单电源电压范围内写入(编程或擦除)。这些串行闪存利用SuperFlash技术(可实现低耗电流)进行编程并缩短擦除时间。这样即可减少在任何擦除或编程操作期间的总能量消耗。SST25WF040B/80B串行闪存采用8引脚SOIC和8触点USOIN封装。

串行接口架构:

SPI兼容:

模式0和模式3

双输入/输出支持:

快速读取双输出指令 (3BH)

快速读取双I/O指令 (BBH)

写入结束检测:

软件轮询状态寄存器中的BUSY位

保持引脚 (HOLD#):

暂停串行序列而不取消选择设备

写保护 (WP#):

启用/禁用状态寄存器的锁定功能

软件写保护:

通过状态寄存器中的块保护位进行写保护

采用以下封装:

8引脚SOIC (150 mils)

8引脚USON (2mm x 3mm)

符合RoHS指令

1.65V至1.95V单电压读写操作

高速时钟频率为40MHz

出众的可靠性:

100000个周期

数据保留超过20年

超低功耗:

4mA有源读取电流

待机电流:7µA

2μA掉电模式待机电流

灵活的擦除功能:

统一的4KB扇区

统一的64KB重叠块

页面程序模式:

256字节/页面

快速擦除和页面编程:

400ms芯片擦除时间

40ms扇区擦除时间

80ms块擦除时间

0.8ms/256B页面编程时间

工业温度范围:-40°C至85°C

扩展温度范围:-40°C至125°C

SST25WF080B-40E/SN  SST25WF040B-40E/SN  制造商: Microchip 

产品种类: NOR闪存  

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOIC-8 

系列: SST25WF 

存储容量: 8 Mbit 

最大时钟频率: 40 MHz 

接口类型: SPI 

组织: 1 M x 8 

定时类型: Synchronous 

数据总线宽度: 8 bit 

电源电压-最小: 1.65 V 

电源电压-最大: 1.95 V 

电源电流—最大值: 15 mA 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

封装: Tube 

速度: 40 MHz  

商标: Microchip Technology  

产品类型: NOR Flash  

工厂包装数量: 100  

子类别: Memory & Data Storage


SST25WF080B-40E/SN

SST25WF040B-40E/SN

SST25WF040BT-40E/SN

SST25WF080BT-40E/SN

Block Diagram - Microchip Technology SST25WF040B/80B SPI串行闪存

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