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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H801NT1G 有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格
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安森美半导体NVMFS6H8x功率MOSFET是80V、单N通道的小型器件，设计紧凑。这些功率MOSFET具有2.1mΩ、2.8mΩ和3.7mΩ电阻。这些器件的特性包括可最大限度降低导通损耗的低RDS(on)、低QG以及低电容。NVMFS6H8x功率MOSFET符合RoHS指令和AEC-Q101标准。这些功率MOSFET在-55°C至175°的温度范围内工作。
5mm x 6mm的小尺寸，设计紧凑
低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
低QG和电容，可最大限度地降低驱动器损耗
可湿侧面 (WF) 选项，用于增强型光学检测
在-55°C至175°的温度范围内工作。
符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
这些器件不含铅，符合RoHS指令
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H801NT1G 制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 203 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 85 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 138 S
CNHTS: 8541290000
下降时间: 85 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 89 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 97 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
NVMFS6H800NT1G
NVMFS6H801NT1G
NVMFS6H818NT1G
深圳市烨弘轩电子有限公司，我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务，竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
专业经营各类电子元器件（集成电路IC，存储芯片，分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等）。
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公司经营目标：整合全球资源全 芯 全意为您服务。
公司服务宗旨：客户虐我千百遍，我待客户如初恋。
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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 （AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA）等。
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