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THGBMNG5D1LBAIT 有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格
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Toshiba THGAF托管型NAND闪存为采用先进的64层BiCS 3D闪存技术的3D通用闪存 (UFS)。此3D消费型UFS可满足移动应用的高速读/写性能和低功耗需求。集成控制器的THGAF NAND闪存可提供误差校正、磨损平衡以及坏块管理功能。器件接口符合JEDEC/UFS V2.0要求，因此用户无需执行特定于NAND的控制命令。THGAF托管型NAND闪存可提供32GB、64GB、128GB和256GB容量选择，并且均符合JEDEC UFS V2.1要求。典型应用包括智能手机、平板电脑、增强现实/虚拟现实以及汽车等领域。.
3D闪存技术
高速读/写性能
低功耗
误差校正
磨损平衡
坏块管理
符合JEDEC/UFS V2.0要求
智能手机
平板电脑
增强现实/虚拟现实系统
汽车
THGBMNG5D1LBAIT 制造商: Toshiba
产品种类: eMMC
存储容量: 4 GB
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tray
封装 / 箱体: FBGA-153
商标: Toshiba Memory
安装风格: SMD/SMT
HTS Code: 8542320051
产品类型: eMMC
工厂包装数量: 168
子类别: Memory & Data Storage
THGBMNG5D1LBAIT
深圳市烨弘轩电子有限公司，我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务，竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 （AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA）等。
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