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肖特基二极管与整流器 CUHS10F60,H3F 现货优势

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2018-12-25 11:15 | 浏览次数 : 520

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Toshiba CUHS10F60 Schottky Barrier DiodeCUHS10F60,H3F  有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格

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Toshiba CUHS10F60 Schottky Barrier Diode (SBD) is designed for high-speed switching applications with high breakdown voltage and low reverse current. This SBD provides a maximum reverse voltage of 60V and an average rectified current of 1A. The CUHS10F60 diode features a storage temperature range from -55°C to 150°C and a maximum junction temperature of 150°C. This Schottky diode also features a reverse leakage current of 0.04mA when the reverse voltage is 60V.

Absolute maximum ratings:

60V reverse voltage (VR)

1A average rectified current

10A peak forward surge current

150°C junction temperature

-55°C to 150°C storage temperature

130pF total capacitance

0.46V forward voltage @ IF = 500mA

6μA reverse current @ VR = 60V

CUHS10F60,H3F  制造商: Toshiba 

产品种类: 肖特基二极管与整流器 

产品: Schottky Diodes 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: US2H 

If - 正向电流: 1 A 

Vrrm - 重复反向电压: 60 V 

Vf - 正向电压: 0.56 V 

Ifsm - 正向浪涌电流: 10 A 

配置: Single 

技术: Si 

Ir - 反向电流 : 6 uA 

最大工作温度: + 150 C 

系列: CUHS10F60 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

商标: Toshiba  

HTS Code: 8541100080  

产品类型: Schottky Diodes & Rectifiers  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Diodes & Rectifiers  

Vr - 反向电压 : 60 V


CUHS10F60,H3F

Performance Graph - Toshiba CUHS10F60 Schottky Barrier Diode

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