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Vishay TrenchFET®第四代双面冷却MOSFET可进行顶部冷却,另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK® SO-8DC封装。TrenchFET双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号:25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。TrenchFET MOSFET可用于各类特定产品应用,包括同步整流、直流/直流转换、电源、电池管理等。
TrenchFET®功率MOSFET
可进行顶部冷却,另外还可在器件上的另一个位置实现热传递
经100%Rg和UIS测试
PowerPAK SO-8DC封装
漏源击穿电压:25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V
同步整流
直流/直流转换器
SiDR626DP、SiDR638DP、SiDR668DP、SiDR680DP和SiDR870ADP:
电机驱动控制
电池和负载开关
SiDR140DP、SiDR390DP、SiDR392DP和SiDR402DP
OR-ing
负载开关
高功率密度直流/直流器件
SiDR610DP:
电源
D类放大器
SiDR622DP:
一次侧开关
H桥
SIDR622DP-T1-GE3 SIDR626DP-T1-GE3 制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8DC-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 64.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: SID
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 33 S
CNHTS: 8541290000
下降时间: 6 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
SIDR622DP-T1-GE3
SIDR626DP-T1-GE3
SIDR680DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3
SIDR390DP-T1-GE3
SIDR392DP-T1-GE3
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深圳市烨弘轩电子有限公司,我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务,竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
专业经营各类电子元器件(集成电路IC,存储芯片,分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等)。
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深圳市烨弘轩电子有限公司 重点客户遍布中国内地 港 澳 台地区,另外欧美发达国家以及 一代一路沿线发展中国家我司也有大量长期合作的优质客户。
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公司服务宗旨:客户虐我千百遍,我待客户如初恋。
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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 (AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA)等。
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