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EMD3D256M08G1-150CBS1 有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格
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Everspin Technologies EMD3D256M08/16B DRAMs are non-volatile 256Mb DDR3 spin-transfer torque Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) with maximum 667MHz clock frequency. These DRAMs offer non-volatility and high endurance at DDR3 speeds. The DDR3 STT-MRAM is a high-speed MRAM internally configured as an eight-bank RAM. These DRAMs are capable of DDR3 operation at rates of up to 1333MT/sec/pin. The EMD3D256M08/16B DRAMs are designed to comply with all DDR3 DRAM features including On-Device Termination (ODT) and internal ZQ calibration. The spin-torque MRAM technology cell refresh is not required which simplifies system design and reduces overhead.
Non-volatile 256Mb (32Mb x 816Mb x 16) DDR3
Supports standard DDR3 SDRAM features
VDD 1.5V +/- 0.075V
Up to 667MHz fCK (1333MT/sec/pin)
Page size of 512-bits (x8) or 1024-bits (x16)
All addresses and control inputs are latched on rising edge of clock
On-Device Termination (ODT)
On-chip DLL aligns DQ, DQS, and DQS transition with CK transition
Burst length of 8 with programmable burst chop length of 4
Standard 10mm x 13mm 78-ball (x8) or 96-ball (x16) BGA package
EMD3D256M08G1-150CBS1 制造商: Everspin Technologies
类型: SDRAM - DDR3
数据总线宽度: 8 bit
组织: 32 M x 8
封装 / 箱体: BGA-78
存储容量: 256 Mbit
最大时钟频率: 667 MHz
电源电压-最大: 1.575 V
电源电压-最小: 1.425 V
电源电流—最大值: 220 mA
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 85 C
系列: EMD3D256M
封装: Tray
商标: Everspin Technologies
安装风格: SMD/SMT
MXHTS: 85423201
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 190
子类别: Memory & Data Storage
EMD3D256M08G1-150CBS1
EMD3D256M08G1-150CBS1R
EMD3D256M16G2-150CBS1R
EMD3D256M16G2-150CBS1
深圳市烨弘轩电子有限公司,我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务,竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
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公司服务宗旨:客户虐我千百遍,我待客户如初恋。
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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 (AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA)等。
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