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ROHM Semiconductor 1Mbit 128k x 8-bit FeRAM memories are nonvolatile Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) developed in the ferroelectric process and silicon-gate CMOS technology. The MR44V100A FeRAM is accessed using two-wire serial interface (I2C Bus) and MR45V100A FeRAM using serial peripheral interface. These FeRAM devices eliminate battery backup required to hold data as cells are nonvolatile. The FeRAM memories offer no mechanisms of erasing and programming memory cells and blocks as those are used for various EEPROMs. These FeRAM devices are used in applications guaranteed for write/read tolerance of 1012 cycles per bit.
131072-word x 8-bit configuration I2C bus interface
A single 3.3V typical (1.8V to 3.6V) power supply
Read/write tolerance 1012 cycles/bit
Data retention 10 years
Operating frequency:
3.4MHz (maximum) HS-mode and 1MHz (maximum) F/S-mode Plus for MR44V100A
34MHz (READ cycle)/40MHz (except for READ) for MR45V100A
Low power consumption
Power supply current
Standby mode supply current and sleep mode supply current
Package options:
8-pin plastic SOP (P-SOP8-200-1.27-T2K)
RoHS compliant
128k x 8 organization
1.8V to 3.6V (maximum) operating supply voltage
-40°C to 80°C operating temperature range
MR45V100AMAZAATL MR44V100AMAZAATL 制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: F-RAM
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
存储容量: 1 Mbit
接口类型: SPI
组织: 128 k x 8
电源电压-最小: 1.8 V
电源电压-最大: 3.6 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ROHM Semiconductor
工作电源电压: 1.8 V to 3.6 V
产品类型: FRAM
工厂包装数量: 2500
子类别: Memory & Data Storage
MR45V100AMAZAATL
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深圳市烨弘轩电子有限公司，我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务，竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
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