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Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ P沟道FemtoFET™ MOSFET经过设计和优化，用于缩小众多手持和移动应用的尺寸。该技术可取代标准小信号MOSFET，同时大幅缩小尺寸。通过集成的10kΩ夹体电阻器 (RC)，栅极电压 (VGS) 可以超过内部栅极氧化物的最大值-6V，具体取决于占空比。随VGS通过二极管栅极泄漏 (IGSS) 增加超过 -6V
低导通电阻
超低Qg和Qgd
超小尺寸
0.7mm×0.6mm
薄型
0.22mm（最大高度）
集成ESD保护二极管
无铅、无卤
符合RoHS指令
适合负载开关应用
电池应用
手持和移动应用
CSD25501F3制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PICOSTAR-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Id-连续漏极电流: - 3.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.05 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V
Qg-栅极电荷: 1.02 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: CSD25501F3
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 3.4 S
下降时间: 945 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 428 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 1154 ns
典型接通延迟时间: 474 ns
CSD25501F3
CSD25501F3T
深圳市烨弘轩电子有限公司，我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务，竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
专业经营各类电子元器件（集成电路IC，存储芯片，分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等）。
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深圳市烨弘轩电子有限公司 重点客户遍布中国内地 港 澳 台地区，另外欧美发达国家以及 一代一路沿线发展中国家我司也有大量长期合作的优质客户。
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深圳市烨弘轩电子有限公司 为一般纳税人 可开具17%增值税票 有合作基础可申请月结，延长账期等多种供货付款方式。
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公司经营目标：整合全球资源全 芯 全意为您服务。
公司服务宗旨：客户虐我千百遍，我待客户如初恋。
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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 （AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA）等。
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