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Qorvo QPD1025L射频输入匹配晶体管是一款分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作频率范围为1.0GHz至1.1GHz。这些晶体管具有22.5dB线性增益、1800W输出功率、65V工作电压以及脉冲和连续波功能。QPD1025L晶体管采用工业标准气腔型封装，非常适合用于IFF应答器、航空电子设备和测试仪器仪表。
工作频率范围：1.0GHz至1.1GHz
1660W输出功率 (P3dB)1
线性增益：22.9dB
78.5%典型PAE3dB1
工作电压：65V
连续波和脉冲功能
IFF应答器
航空电子设备
测试仪器仪表
772-QPD1025L制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 22.9 dB
Id-连续漏极电流: 28 A
输出功率: 1.5 kW
最大漏极/栅极电压: 225 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 758 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230-4
封装: Tray
应用: Avionics, IFF Transponders
配置: Dual Gate Dual Drain
工作频率: 1 GHz to 1.1 GHz
系列: QPD
商标: Qorvo
开发套件: QPD1025LEVB1
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 18
子类别: Transistors
772-QPD1025L
772-QPD1025
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