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TK750A60F,S4X 片片原装

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2018-08-07 10:02 | 浏览次数 : 465

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Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETsTK750A60F,S4X有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格

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Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs offer high efficiency and low noise in a compact TO-220SIS package. π-MOS IX Series MOSFETs provide optimal performance due to the double-diffused process design adjustment. With an optimized chip design, the π-MOS IX series provides 5dB lower peak EMI noise than the previous π-MOS VII series, while maintaining the same level of efficiency. These N-channel Power MOSFETs offer greater design flexibility, reducing design workloads. In addition, the π-MOS IX series has the same rated avalanche current and rated drain current (DC), making it simple to replace existing MOSFETs.

High efficiency

Low noise

Easy to control Gate switching

Low drain-source ON-resistance

High avalanche ruggedness

Avalanche current and DC current equivalency

N-channel

Single internal connection

RoHS compliant

TO-220SIS (SC-67 JEITA) 3-pin package

Small to medium switching power suipplies

Laptop chargers

Tablet chargers

Smartphone chargers

Game console chargers

Lighting power supplies

TK750A60F,S4X制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220SIS-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 600 V 

Id-连续漏极电流: 10 A 

Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

Qg-栅极电荷: 30 nC 

最大工作温度: + 150 C 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 40 W 

通道模式: Enhancement 

封装: Tube 

系列: TK750A60F  

商标: Toshiba  

下降时间: 20 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 22 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 80 ns  

典型接通延迟时间: 45 ns

Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs

TK750A60F,S4X

TK650A60F,S4X

TK1K2A60F,S4X

TK1K9A60F,S4X


Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs

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深圳市烨弘轩电子有限公司 重点客户遍布中国内地 港 澳 台地区,另外欧美发达国家以及 一代一路沿线发展中国家我司也有大量长期合作的优质客户。

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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 (AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA)等。

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