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NCP81075DR2G 片片原装

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2018-07-10 14:49 | 浏览次数 : 459

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安森美半导体NCP81075双MOSFET栅极驱动器

安森美半导体NCP81075双MOSFET栅极驱动器设计用于在同步降压转换器中驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极。NCP81075集成了驱动器IC和片上自举二极管,无需外部分立二极管。该器件采用高浮动高侧驱动器设计,可适应高达180V的高侧自举电源电压。低侧和高侧独立受控,在彼此的打开和关闭之间匹配至4ns。当驱动电压低于特定阈值时,可为高侧和低侧驱动器提供独立的欠压锁定,强制输出低电平。

NCP81075采用SOIC-8、DFN8和WDFN10封装,具有较高的设计灵活性。这些器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。

特性

驱动两个高侧和低侧N沟道MOSFET

用于高侧栅极驱动的集成自举二极管

自举电源电压高达180V

输出拉/灌电流能力:4A/4A

驱动1nF负载,典型上升/下降时间为8ns/7ns

宽电源电压范围:8.5V - 20V

较短的传播延迟时间:20ns(典型值)

延迟匹配:2ns(典型值)

8ns上升/7ns下降时间,1000pF负载

高达1MHz的开关频率

针对驱动电压的欠压闭锁 (UVLO) 保护

工作结温范围:-40°C至140°C

封装选项:SOIC-8、DFN8、WDFN10

无铅

无卤/无BFR

符合RoHS指令

应用

降压转换器

电信和数据通信

隔离式电源

D类音频放大器

双开关和有源钳位正激变换器

太阳能优化器

NCP81075DR2G制造商: ON Semiconductor 

产品种类: 门驱动器 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOIC-8 

产品: MOSFET Gate Drivers 

激励器数量: 2 Driver 

输出电流: 4 A 

配置: High Side, Low Side 

上升时间: 8 ns 

下降时间: 7 ns 

电源电压-最大: 20 V 

电源电压-最小: 8.5 V 

传播延迟—最大值: 50 ns 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 140 C 

类型: High Side, Low Side 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

输出端数量: 2 Output  

商标: ON Semiconductor  

逻辑类型: TTL  

关闭: No Shutdown  

工作电源电流: 7.3 mA  

产品类型: Gate Drivers  

工厂包装数量: 2500  

子类别: PMIC - Power Management ICs  


NCP81075DR2G

NCP81080MNTBG

NCP81080DR2G


安森美半导体NCP81075双MOSFET栅极驱动器 - 应用简图

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