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NVMFD5C462NLWFT1G我们有最优惠的价格

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2018-07-10 14:27 | 浏览次数 : 506

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安森美半导体NVMFD5C功率MOSFETNVMFD5C462NLWFT1G有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格

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安森美半导体NVMFD5C功率MOSFET符合AEC-Q101标准和生产件批准程序 (PPAP),适合用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻,可最大限度地降低导通损耗,另外还具有低总栅极电荷 (QG) 和低电容,可将驱动器损耗降到最低。这些功率MOSFET经100%雪崩测试,并具有可湿侧面选项,用于增强型光学检测。

NVMFD5C功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引线DFN8封装,设计用于实现紧凑、高效的设计以及较高的散热性能。这些器件不含铅,符合RoHS指令。

特性

符合汽车应用类AEC-Q101标准

低导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗

高电流能力,可实现强大的负载性能

经100%雪崩测试,可防止电压过载故障

无铅

符合RoHS指令

应用

电磁驱动器

低侧/高侧驱动器

汽车引擎控制器

防抱死制动系统

NVMFD5C462NLWFT1G制造商: ON Semiconductor 

产品种类: MOSFET  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: DFN-8 

通道数量: 2 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 40 V, 40 V 

Id-连续漏极电流: 84 A, 84 A 

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms, 3.9 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V, 1.2 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, 20 V 

Qg-栅极电荷: 23 nC, 23 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 175 C 

配置: Dual 

Pd-功率耗散: 50 W 

通道模式: Enhancement 

资格: AEC-Q100 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

系列: NVMFD5C462NL  

晶体管类型: 2 N-Channel  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 70 S, 70 S  

下降时间: 6 ns, 6 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 16 ns, 16 ns  

工厂包装数量: 1500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 19 ns, 19 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns, 11 ns


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