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Analog Devices HMC8205氮化镓 (GaN) MMIC射频放大器采用紧凑型封装，具有高增益、大功率和高效率。该款高度集成的HMC8205射频放大器在单一设计中集成了直流馈电/射频偏压扼流圈、直流阻断电容器和驱动器级。这种设计最大限度地减少了所需的外部元件数量和整体电路板空间。
HMC8205放大器在瞬时带宽范围为0.3GHz至6GHz时的功率高达35W，1300mA时的电源电压为50V。HMC8205放大器的射频输入和输出内部匹配，可实现26dB的高信号增益和38％的功率附加效率 (PAE)。
应用
军用干扰发射器
商用和军用雷达
针对无线基础设施的功率放大器级
测试与测量设备
特性
高PSAT：46dBm
高功率增益：20dB
高PAE：38%
瞬时带宽：0.3GHz - 6GHz
电源电压：VDD = 50V (1300mA)
10引脚LDCC封装
HMC8205BF10制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 射频放大器
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: LDCC-10
类型: Power Amplifier
技术: GaN
工作频率: 0.3 GHz to 6 GHz
P1dB - 压缩点: -
增益: 28 dB
工作电源电压: 50 V
NF—噪声系数: -
测试频率: 3 GHz to 6 GHz
工作电源电流: 1.3 A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: HMC8205
封装: Gel Pack
商标: Analog Devices
通道数量: 1 Channel
开发套件: EV1HMC8205BF10
输入返回损失: 10 dB
Pd-功率耗散: 89.4 W
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 10
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
HMC8205BF10
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