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CGHV40200PP 有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格
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Wolfspeed/Cree CGHV40200PP GaN HEMT在50V电源电压下工作，为射频和微波应用提供了宽带解决方案。该款Gan高电子迁移率晶体管具有高效率、高增益和高带宽能力。得益于以上特性，CGHV40200PP非常适合用于线性和压缩放大器电路。CGHV40200PP GaN HEMT采用4引脚法兰封装。典型应用包括双向无线电、宽带放大器、雷达放大器和测试仪器仪表。
特性
工作频率高达2.7GHz
小信号增益：21dB (1.8GHz)
Psat：250W（典型值）
50V电源电压
规格
功率输出：200W
漏源电压：125V (25ºC)
工作结温：225ºC
焊接温度：245ºC
应用
双向私有无线电
宽带放大器
雷达放大器
测试仪器仪表
适用于OFDM、W-CDMA、EDGE及CDMA波形的A类、AB类线性放大器
CGHV40200PP 制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 16.1 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, + 2 V
Id-连续漏极电流: 8.7 A
输出功率: 250 W
最大漏极/栅极电压: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 166 W
安装风格: Screw
封装 / 箱体: 440199
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 1.7 GHz to 1.9 GHz
商标: Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值: -
开发套件: CGHV40200PP-AMP1
工厂包装数量: 50
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
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