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Texas Instruments CSD22206W P通道NexFET™功率MOSFET是一款–8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mm器件，设计用于在超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸极小，具有出色的散热特性。由于该器件具有低导通电阻、小型封装尺寸以及薄型设计，因此非常适合用于由电池供电的空间受限应用。
特性
超低电阻
1.5mm×1.5mm的小尺寸外形
无铅
栅极ESD保护
符合RoHS指令
无卤素
栅极-源极电压钳位
应用
负载开关应用
电池管理
电池保护
CSD22206W制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DSBGA-9
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 8 V
Id-连续漏极电流: - 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.05 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V
Qg-栅极电荷: 14.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: CSD22206W
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 20 S
下降时间: 45 ns
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 118 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
单位重量: 200 mg 
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